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1SS356TW11
- Artikelnummer:
- 1SS356TW11
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13132 Pieces
- Datenblatt:
- 1SS356TW11.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 1SS356TW11, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 1SS356TW11 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Spitzensperr- (max): | 35V |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | UMD2 |
| Serie: | - |
| Widerstand @ If, F: | 900 mOhm @ 2mA, 100MHz |
| Verlustleistung (max): | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-90, SOD-323F |
| Andere Namen: | 1SS356TW11-ND 1SS356TW11TR |
| Betriebstemperatur: | 125°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 1SS356TW11 |
| Expanded Beschreibung: | RF Diode Standard - Single 35V 100mA 200mW UMD2 |
| Diodentyp: | Standard - Single |
| Beschreibung: | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR |
| Strom - Max: | 100mA |
| Kapazität @ Vr, F: | 1.2pF @ 6V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 1SS356TW11
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
1SS355VMTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 | Anfrage |
|
1SS355TE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 | Anfrage |
 |
BAT6207WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40V 20MA SOT343 | Anfrage |
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BAR 67-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 150V 200MA SC-79 | Anfrage |
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HSMS-285C-BLKG | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-323 | Anfrage |
 |
1SS355WTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURPOSE | Anfrage |
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