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2N6338G
- Artikelnummer:
- 2N6338G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 100V 25A TO-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14878 Pieces
- Datenblatt:
- 2N6338G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 2N6338G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2N6338G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.8V @ 2.5A, 25A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 200W |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-204AA, TO-3 |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 2N6338G |
| Frequenz - Übergang: | 40MHz |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 25A 40MHz 200W Through Hole TO-3 |
| Beschreibung: | TRANS NPN 100V 25A TO-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 10A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 25A |
| Email: | [email protected] |
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