Kaufen 2N6341G mit BYCHPS
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 150V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.8V @ 2.5A, 25A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 200W |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | TO-204AA, TO-3 |
Andere Namen: | 2N6341G-ND 2N6341GOS |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | 2N6341G |
Frequenz - Übergang: | 40MHz |
Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 25A 40MHz 200W Through Hole TO-3 |
Beschreibung: | TRANS NPN 150V 25A TO-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 10A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 25A |
Email: | [email protected] |