2N7002KT3G
2N7002KT3G
Artikelnummer:
2N7002KT3G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15329 Pieces
Datenblatt:
2N7002KT3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):350mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:2N7002KT3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:24.5pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 320mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:320mA (Ta)
Email:[email protected]

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