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2SB817C-1E
- Artikelnummer:
- 2SB817C-1E
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PNP 140V 12A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15223 Pieces
- Datenblatt:
- 2SB817C-1E.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 2SB817C-1E, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2SB817C-1E per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 140V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 500mA, 5A |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P-3L |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 120W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Andere Namen: | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 2SB817C-1E |
| Frequenz - Übergang: | 10MHz |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
| Beschreibung: | TRANS PNP 140V 12A |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 1A, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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