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2SD2096T114E
- Artikelnummer:
- 2SD2096T114E
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13975 Pieces
- Datenblatt:
- 2SD2096T114E.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 2SD2096T114E, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2SD2096T114E per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 200mA, 2A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | HRT |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1.8W |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | HRT |
| Andere Namen: | 2SD2096T114ECT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | 2SD2096T114E |
| Frequenz - Übergang: | 8MHz |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 8MHz 1.8W Through Hole HRT |
| Beschreibung: | TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 500mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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