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3LN01C-TB-H
- Artikelnummer:
- 3LN01C-TB-H
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19750 Pieces
- Datenblatt:
- 3LN01C-TB-H.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 3LN01C-TB-H, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 3LN01C-TB-H per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 3-CP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
| Verlustleistung (max): | 250mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | 3LN01C-TB-H |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.58nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 150mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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