70V657S10DRG
70V657S10DRG
Artikelnummer:
70V657S10DRG
Hersteller:
IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung:
IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13433 Pieces
Datenblatt:
1.70V657S10DRG.pdf2.70V657S10DRG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannungsversorgung:3.15 V ~ 3.45 V
Supplier Device-Gehäuse:208-PQFP (28x28)
Geschwindigkeit:10ns
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:208-BFQFP
Andere Namen:IDT70V657S10DRG
IDT70V657S10DRG-ND
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:1.125Mb (32K x 36)
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:7 Weeks
Hersteller-Teilenummer:70V657S10DRG
Schnittstelle:Parallel
Beschreibung:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP
Email:[email protected]

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