Kaufen A2I08H040GNR1 mit BYCHPS
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A2I08H040GNR1
- Artikelnummer:
- A2I08H040GNR1
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- IC RF LDMOS AMP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18222 Pieces
- Datenblatt:
- A2I08H040GNR1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für A2I08H040GNR1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für A2I08H040GNR1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Prüfung: | 28V |
|---|---|
| Spannung - Nennwert: | 65V |
| Transistor-Typ: | LDMOS (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-270WBG-15 |
| Serie: | - |
| Leistung: | 9W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Andere Namen: | 935320823528 |
| Rauschmaß: | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | A2I08H040GNR1 |
| Gewinnen: | 30.7dB |
| Frequenz: | 920MHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Beschreibung: | IC RF LDMOS AMP |
| Aktuelle Bewertung: | - |
| Strom - Test: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für A2I08H040GNR1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Anfrage |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | Anfrage |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | Anfrage |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Anfrage |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Anfrage |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Anfrage |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Anfrage |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Anfrage |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Anfrage |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Anfrage |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Anfrage |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Anfrage |
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