Kaufen A2I25D025NR1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
A2I25D025NR1
- Artikelnummer:
- A2I25D025NR1
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- IC TRANS RF LDMOS
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14251 Pieces
- Datenblatt:
- 1.A2I25D025NR1.pdf2.A2I25D025NR1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für A2I25D025NR1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für A2I25D025NR1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Prüfung: | 28V |
|---|---|
| Spannung - Nennwert: | 65V |
| Transistor-Typ: | LDMOS (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-270WB-17 |
| Serie: | - |
| Leistung: | 3.2W |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| Andere Namen: | A2I25D025NR1DKR |
| Rauschmaß: | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | A2I25D025NR1 |
| Gewinnen: | 31.9dB |
| Frequenz: | 2.69GHz |
| Expanded Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 59mA 2.69GHz 31.9dB 3.2W TO-270WB-17 |
| Beschreibung: | IC TRANS RF LDMOS |
| Aktuelle Bewertung: | - |
| Strom - Test: | 59mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für A2I25D025NR1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PXAC243502FVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Anfrage |
 |
BF244A_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 50MA TO92 | Anfrage |
 |
A2I25D025GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Anfrage |
|
A2I25H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Anfrage |
 |
A2I25H060NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Anfrage |
 |
MRFG35010NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ | Anfrage |
 |
BLL8H1214L-500U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | Anfrage |
|
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | Anfrage |
 |
BLC6G27-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET 28V SOT895A | Anfrage |
 |
BLA8G1011L-300U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | Anfrage |
 |
MRF6S19100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | Anfrage |
 |
ATF-58143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | Anfrage |
 |
BLF8G27LS-150GVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Anfrage |
 |
BLF6G27-45,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog