ALD1108EPCL
Artikelnummer:
ALD1108EPCL
Hersteller:
Advanced Linear Devices, Inc.
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12624 Pieces
Datenblatt:
ALD1108EPCL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.01V @ 1µA
Supplier Device-Gehäuse:16-PDIP
Serie:EPAD®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 Ohm @ 5V
Leistung - max:600mW
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:16-DIP (0.300", 7.62mm)
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:ALD1108EPCL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:4 N-Channel, Matched Pair
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10V 600mW Through Hole 16-PDIP
Drain-Source-Spannung (Vdss):10V
Beschreibung:MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:-
Email:[email protected]

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