AOB411L
AOB411L
Artikelnummer:
AOB411L
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17607 Pieces
Datenblatt:
1.AOB411L.pdf2.AOB411L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263 (D²Pak)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 187W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOB411L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6400pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 60V 8A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A (Ta), 78A (Tc)
Email:[email protected]

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