AOT42S60L
Artikelnummer:
AOT42S60L
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 39A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16035 Pieces
Datenblatt:
1.AOT42S60L.pdf2.AOT42S60L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:99 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max):417W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:AOT42S60L-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOT42S60L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2154pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 37A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 39A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

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