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APT18F60B
- Artikelnummer:
- APT18F60B
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13985 Pieces
- Datenblatt:
- 1.APT18F60B.pdf2.APT18F60B.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT18F60B, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT18F60B per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 390 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 335W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Andere Namen: | APT18F60BMI APT18F60BMI-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APT18F60B |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 19A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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