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APT38F80B2
- Artikelnummer:
- APT38F80B2
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16861 Pieces
- Datenblatt:
- 1.APT38F80B2.pdf2.APT38F80B2.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT38F80B2, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT38F80B2 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1040W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen: | APT38F80B2MI APT38F80B2MI-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APT38F80B2 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 8070pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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