APT5F100K
Artikelnummer:
APT5F100K
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19531 Pieces
Datenblatt:
1.APT5F100K.pdf2.APT5F100K.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 500µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220 [K]
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max):225W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APT5F100K
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1409pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1000V (1kV) 5A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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