APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G
Artikelnummer:
APT75GN60B2DQ3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 600V 155A 536W TO264
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17052 Pieces
Datenblatt:
APT75GN60B2DQ3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 75A
Testbedingung:400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:47ns/385ns
Schaltenergie:2500µJ (on), 2140µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:-
Serie:-
Leistung - max:536W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APT75GN60B2DQ3G
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:485nC
Expanded Beschreibung:IGBT 600V 155A 536W Through Hole
Beschreibung:IGBT 600V 155A 536W TO264
Strom - Collector Pulsed (Icm):225A
Strom - Kollektor (Ic) (max):155A
Email:[email protected]

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