APTC90HM60T3G
Artikelnummer:
APTC90HM60T3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12754 Pieces
Datenblatt:
APTC90HM60T3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 6mA
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 52A, 10V
Leistung - max:462W
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTC90HM60T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:540nC @ 10V
Typ FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal:Super Junction
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss):900V
Beschreibung:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:59A
Email:[email protected]

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