APTCV50H60T3G
Artikelnummer:
APTCV50H60T3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18157 Pieces
Datenblatt:
1.APTCV50H60T3G.pdf2.APTCV50H60T3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:-
Leistung - max:176W
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor:Yes
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTCV50H60T3G
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:3.15nF @ 25V
Eingang:Standard
IGBT-Typ:NPT, Trench Field Stop
Expanded Beschreibung:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
Beschreibung:IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Strom - Collector Cutoff (Max):250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):80A
Konfiguration:Full Bridge
Email:[email protected]

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