APTGT100DH60T3G
Artikelnummer:
APTGT100DH60T3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOD IGBT 600V 150A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14003 Pieces
Datenblatt:
APTGT100DH60T3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:-
Leistung - max:340W
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC-Thermistor:Yes
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTGT100DH60T3G
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:6.1nF @ 25V
Eingang:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Expanded Beschreibung:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3
Beschreibung:MOD IGBT 600V 150A SP3
Strom - Collector Cutoff (Max):250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):150A
Konfiguration:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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