APTM100TA35FPG
APTM100TA35FPG
Artikelnummer:
APTM100TA35FPG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14627 Pieces
Datenblatt:
1.APTM100TA35FPG.pdf2.APTM100TA35FPG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse:SP6-P
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:420 mOhm @ 11A, 10V
Leistung - max:390W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTM100TA35FPG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Typ FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:22A
Email:[email protected]

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