APTM50DDAM65T3G
Artikelnummer:
APTM50DDAM65T3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14176 Pieces
Datenblatt:
1.APTM50DDAM65T3G.pdf2.APTM50DDAM65T3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:78 mOhm @ 25.5A, 10V
Leistung - max:390W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTM50DDAM65T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:51A
Email:[email protected]

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