APTMC120AM08CD3AG
APTMC120AM08CD3AG
Artikelnummer:
APTMC120AM08CD3AG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13642 Pieces
Datenblatt:
APTMC120AM08CD3AG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 10mA (Typ)
Supplier Device-Gehäuse:D3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 200A, 20V
Leistung - max:1100W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:D-3 Module
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTMC120AM08CD3AG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:9500pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:490nC @ 20V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A 1100W Chassis Mount D3
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:250A
Email:[email protected]

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