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APTML20UM18R010T1AG
- Artikelnummer:
- APTML20UM18R010T1AG
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 109A SP1
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14391 Pieces
- Datenblatt:
- APTML20UM18R010T1AG.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APTML20UM18R010T1AG, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APTML20UM18R010T1AG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SP1 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 480W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SP1 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APTML20UM18R010T1AG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9880pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 109A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 109A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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