AS6C2008-55BIN
Artikelnummer:
AS6C2008-55BIN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung:
IC SRAM 2MBIT 55NS 36TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15297 Pieces
Datenblatt:
AS6C2008-55BIN.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannungsversorgung:2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse:36-TFBGA (6x8)
Geschwindigkeit:55ns
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:36-TFBGA
Andere Namen:1450-1171
AS6C2008-55BIN-ND
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:2Mb (256K x 8)
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AS6C2008-55BIN
Schnittstelle:Parallel
Beschreibung:IC SRAM 2MBIT 55NS 36TFBGA
Email:[email protected]

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