Kaufen BCR183E6327HTSA1 mit BYCHPS
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | 10k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 10k |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | BCR 183 E6327 BCR 183 E6327-ND BCR 183 E6327TR-ND BCR183E6327 BCR183E6327BTSA1 BCR183E6327XT SP000010794 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BCR183E6327HTSA1 |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |