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BDV65C-S
- Artikelnummer:
- BDV65C-S
- Hersteller:
- Bourns, Inc.
- Beschreibung:
- TRANS NPN DARL 120V 12A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18286 Pieces
- Datenblatt:
- BDV65C-S.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BDV65C-S, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BDV65C-S per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 20mA, 5A |
| Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-93 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 3.5W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-218-3 |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BDV65C-S |
| Frequenz - Übergang: | - |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 12A 3.5W Through Hole SOT-93 |
| Beschreibung: | TRANS NPN DARL 120V 12A |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1000 @ 5A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 2mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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