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BDW83B
- Artikelnummer:
- BDW83B
- Hersteller:
- Central Semiconductor
- Beschreibung:
- POWER TRANSISTOR NPN TO218
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 12008 Pieces
- Datenblatt:
- BDW83B.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BDW83B, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BDW83B per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 80V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | - |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-218 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 130W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-218-3 |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BDW83B |
| Frequenz - Übergang: | - |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218 |
| Beschreibung: | POWER TRANSISTOR NPN TO218 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 750 @ 6A, 3V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 15A |
| Email: | [email protected] |
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