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BS107ARL1
- Artikelnummer:
- BS107ARL1
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 19852 Pieces
- Datenblatt:
- BS107ARL1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BS107ARL1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BS107ARL1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 350mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BS107ARL1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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