BSC026NE2LS5ATMA1
BSC026NE2LS5ATMA1
Artikelnummer:
BSC026NE2LS5ATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14709 Pieces
Datenblatt:
BSC026NE2LS5ATMA1.pdf

Einführung

BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSC026NE2LS5ATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSC026NE2LS5ATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen BSC026NE2LS5ATMA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie

Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.6 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 29W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:BSC026NE2LS5ATMA1-ND
BSC026NE2LS5ATMA1TR
SP001212432
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:BSC026NE2LS5ATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 25V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
Beschreibung:MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:24A (Ta), 82A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung