BSC265N10LSFGATMA1
BSC265N10LSFGATMA1
Artikelnummer:
BSC265N10LSFGATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17788 Pieces
Datenblatt:
BSC265N10LSFGATMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 43µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):78W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:BSC265N10LSF G
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSFGATMA1TR
SP000379618
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:BSC265N10LSFGATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6.5A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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