BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005
Artikelnummer:
BSM120D12P2C005
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16144 Pieces
Datenblatt:
1.BSM120D12P2C005.pdf2.BSM120D12P2C005.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.7V @ 22mA
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:780W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Module
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:BSM120D12P2C005
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A 780W Module
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:120A
Email:[email protected]

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