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BSO615C G
- Artikelnummer:
- BSO615C G
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15054 Pieces
- Datenblatt:
- BSO615C G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSO615C G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSO615C G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Leistung - max: | 2W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | BSO615C BSO615C G-ND BSO615CG BSO615CGHUMA1 BSO615CGT BSO615CGXT BSO615CINTR SP000216311 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSO615C G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.1A, 2A |
| Email: | [email protected] |
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