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BSP149L6327HTSA1
- Artikelnummer:
- BSP149L6327HTSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12581 Pieces
- Datenblatt:
- BSP149L6327HTSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSP149L6327HTSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSP149L6327HTSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 400µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen: | BSP149 L6327 BSP149 L6327-ND BSP149L6327INTR BSP149L6327INTR-ND BSP149L6327XT SP000089214 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BSP149L6327HTSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Depletion Mode |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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