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BSP295L6327HTSA1
- Artikelnummer:
- BSP295L6327HTSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14483 Pieces
- Datenblatt:
- BSP295L6327HTSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSP295L6327HTSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSP295L6327HTSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 400µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen: | BSP295 L6327 BSP295 L6327-ND BSP295L6327INTR BSP295L6327INTR-ND BSP295L6327XT SP000089210 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BSP295L6327HTSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 368pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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