Kaufen BSS192PL6327HTSA1 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 130µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-SOT89 |
Serie: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
Andere Namen: | BSS192P L6327 BSS192P L6327-ND BSS192PL6327INTR BSS192PL6327INTR-ND BSS192PL6327XT SP000095795 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | BSS192PL6327HTSA1 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 250V |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 190mA (Ta) |
Email: | [email protected] |