Kaufen BSS225H6327XTSA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
BSS225H6327XTSA1
- Artikelnummer:
- BSS225H6327XTSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13357 Pieces
- Datenblatt:
- BSS225H6327XTSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSS225H6327XTSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSS225H6327XTSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 94µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-SOT89 |
| Serie: | SIPMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 Ohm @ 90mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
| Andere Namen: | SP001195032 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSS225H6327XTSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 131pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 90mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für BSS225H6327XTSA1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA140P05T | IXYS | MOSFET P-CH 50V 140A TO-263 | Anfrage |
 |
IRF6636TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET | Anfrage |
 |
NTD4855NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK | Anfrage |
 |
BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | Anfrage |
 |
NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Anfrage |
 |
IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Anfrage |
 |
FDB15N50 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB | Anfrage |
|
BSS225 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | Anfrage |
|
BSS225L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | Anfrage |
 |
BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | Anfrage |
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | Anfrage |
|
NDB6060L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB | Anfrage |
 |
STN1NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog