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BSZ013NE2LS5IATMA1
- Artikelnummer:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16401 Pieces
- Datenblatt:
- BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSZ013NE2LS5IATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSZ013NE2LS5IATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | SP001288148 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSZ013NE2LS5IATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3400pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 25V 32A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 25V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 32A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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