BSZ0503NSIATMA1
BSZ0503NSIATMA1
Artikelnummer:
BSZ0503NSIATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13106 Pieces
Datenblatt:
BSZ0503NSIATMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TSDSON-8-FL
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 36W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:SP001288156
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:BSZ0503NSIATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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