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BSZ0909NSATMA1
- Artikelnummer:
- BSZ0909NSATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14560 Pieces
- Datenblatt:
- BSZ0909NSATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSZ0909NSATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSZ0909NSATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSZ0909NSATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1310pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 34V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 34V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für BSZ0909NSATMA1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Anfrage |
 |
SI4892DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | Anfrage |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | Anfrage |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | Anfrage |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Anfrage |
 |
IPS050N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | Anfrage |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | Anfrage |
 |
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Anfrage |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | Anfrage |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Anfrage |
 |
BUK9240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | Anfrage |
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BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | Anfrage |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Anfrage |
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