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BSZ100N03MSGATMA1
- Artikelnummer:
- BSZ100N03MSGATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13997 Pieces
- Datenblatt:
- BSZ100N03MSGATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSZ100N03MSGATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSZ100N03MSGATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | BSZ100N03MS G BSZ100N03MSG SP000311510 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSZ100N03MSGATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für BSZ100N03MSGATMA1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Anfrage |
 |
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | Anfrage |
 |
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | Anfrage |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | Anfrage |
 |
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | Anfrage |
 |
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | Anfrage |
|
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Anfrage |
|
IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | Anfrage |
 |
STH270N8F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | Anfrage |
 |
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Anfrage |
|
SPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | Anfrage |
 |
IRF7467 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Anfrage |
 |
FDP8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | Anfrage |
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