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BSZ12DN20NS3GATMA1
- Artikelnummer:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18709 Pieces
- Datenblatt:
- BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSZ12DN20NS3GATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSZ12DN20NS3GATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 50W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3GTR-ND SP000781784 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.7nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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