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BSZ180P03NS3EGATMA1
- Artikelnummer:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19032 Pieces
- Datenblatt:
- BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSZ180P03NS3EGATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSZ180P03NS3EGATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 48µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | BSZ180P03NS3E G BSZ180P03NS3E G-ND SP000709740 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2220pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 30V 9A (Ta), 39.5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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