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BUZ32H3045AATMA1
- Artikelnummer:
- BUZ32H3045AATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16041 Pieces
- Datenblatt:
- BUZ32H3045AATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BUZ32H3045AATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BUZ32H3045AATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 75W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | BUZ32 H3045A BUZ32 L3045A BUZ32 L3045A-ND BUZ32H3045AIN BUZ32H3045AIN-ND BUZ32L3045AIN BUZ32L3045AIN-ND BUZ32L3045AXT SP000102174 SP000736086 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BUZ32H3045AATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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