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BUZ73ALHXKSA1
- Artikelnummer:
- BUZ73ALHXKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19611 Pieces
- Datenblatt:
- BUZ73ALHXKSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BUZ73ALHXKSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BUZ73ALHXKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 3.5A, 5V |
| Verlustleistung (max): | 40W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | BUZ73AL H BUZ73AL H-ND BUZ73ALH SP000683012 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | BUZ73ALHXKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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