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C2M0280120D
- Artikelnummer:
- C2M0280120D
- Hersteller:
- Cree
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15505 Pieces
- Datenblatt:
- C2M0280120D.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für C2M0280120D, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für C2M0280120D per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247-3 |
| Serie: | Z-FET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 370 mOhm @ 6A, 20V |
| Verlustleistung (max): | 62.5W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | C2M0280120D |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 259pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 20V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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