CAS325M12HM2
CAS325M12HM2
Artikelnummer:
CAS325M12HM2
Hersteller:
Cree
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15408 Pieces
Datenblatt:
CAS325M12HM2.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 105mA
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:Z-REC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.3 mOhm @ 400A, 20V
Leistung - max:3000W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Module
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CAS325M12HM2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1127nC @ 20V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Silicon Carbide (SiC)
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:444A (Tc)
Email:[email protected]

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