Kaufen CMF10120D mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247 |
| Serie: | Z-FET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| Verlustleistung (max): | 134W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | CMF10120D |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 928pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 47.1nC @ 20V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |