CSD86360Q5D
Artikelnummer:
CSD86360Q5D
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14317 Pieces
Datenblatt:
CSD86360Q5D.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-LSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:13W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerLDFN
Andere Namen:296-35026-2
CSD86360Q5D-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD86360Q5D
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2060pF @ 12.5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12.6nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 50A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:50A
Email:[email protected]

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