CSD87335Q3DT
Artikelnummer:
CSD87335Q3DT
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 25A
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14677 Pieces
Datenblatt:
CSD87335Q3DT.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.9V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-LSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:6W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerLDFN
Andere Namen:296-43923-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD87335Q3DT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 25A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:25A
Email:[email protected]

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